碳化硅制造原理
2022-01-01T08:01:21+00:00
半导体碳化硅（SIC）功率器件的制造； 知乎
2023年12月1日 碳化硅是唯一一种能通过热氧化生成二氧化硅的化合物半导体，这 很有利于碳化硅器件的规模化生产、降低成本，但SiC/SiO2氧化层界面质量差也是阻碍碳化 2019年7月25日 基于硅材料上器件的设计和开发也经过了许多代的结构和工艺优三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎
工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
2020年12月8日 GMP过程示意图 化学机械抛光是通过 化学腐蚀和机械磨损协同作用 ，实现工件表面材料去除及平坦化的过程。 晶片在抛光液的作用下发生化学氧化作用，表面生 2021年12月24日 用SiC MOSFET代替 硅器件 ，可以通过调整驱动级，提供更高的 门通电压 ，处理有时可能为负的栅极关电压，这样就可以将 开关频率 增加三到五倍，实现更高的开关速度，同时使用较小的磁性元件和 散 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃号湃客
2021年7月5日 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会。 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品 2023年1月17日 碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT） 生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。 ①原料合成。将高纯硅粉和高纯碳粉 【SiC 碳化硅加工工艺流程】 知乎
碳化硅SiC MOSFET的制造工艺与工作原理 亿伟世科技
2022年4月28日 碳化硅SiC MOSFET的制造工艺与工作原理 2022/04/28 分类: 工程师家园 1303 0 碳化硅，一种不怎么新的材料 史上最早记载的关于SiC材料的实验发生在1849年左右，当时这种材料已被广泛用于制作防 2022年11月2日 碳化硅器件制造的工艺流程 碳化硅器件制造环节与硅基器件的制造工艺流程大体类似，主要包括光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄等工艺。 不少功率器件制 SiC碳化硅器件制造那些事儿 电子工程专辑 EE Times China
揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道芯片碳化硅
2021年7月4日 碳化硅功率器件制造原理 与传统硅基相似，但因为材料性质的改变，所需设备和技术难度有增加。碳化硅产业链大部分难点在衬底生长环节，不过在 2020年12月2日 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 2021年7月5日 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会。 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品是以硅为原材料制成的。 然而受材料本身特性的限制，硅基功率器件已经渐渐难以满足 5G 基站 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃号湃客
碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
2020年6月10日 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。 1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高 2021年8月4日 碳化硅芯片这样制造 新材料，“芯”未来！碳化硅芯片，取代传统硅基芯片，可以有效提高工作效率、降低能量损耗，减少碳排放，提高系统可靠性，缩减体积、节约空间。以电动汽车为例，采用碳化硅芯片，将使电驱装置的体积缩小为五分之一，电动汽车行驶损耗降低60%以上，相同电池容量下 碳化硅芯片怎么制造？ 知乎
碳化硅功率器件之一 知乎
2021年8月24日 不同的碳化硅多型体在半导体特性方面表现出各自的特点，利用碳化硅的这一特点可以制作碳化硅不同多型体间晶格完全匹配的异质复合结构和超晶格，从而获得性能极佳的器件。 其中6HSiC结构最为稳定，适用于制造光电子器件；3CSiC比6HSiC活泼，其电子迁移率最高、饱和电子漂移速度最快、击穿 2023年3月13日 概述 碳化硅器件生产过程跟传统的硅基器件基本一致，主要分为衬底制备、外延层生长、晶圆制造以及封装测试四个环节： 衬底：高纯度的碳粉和硅粉 1:1 混合制成碳化硅粉，通过单晶生长成为碳化硅晶锭，然后对其进行切割、打磨、抛光后得到透明的碳化硅衬底，其厚度一般为 350 μm；碳化硅 ~ 制备难点 知乎
半导体碳化硅（SIC）功率器件的制造； 知乎
2023年12月1日 从上图可见，碳化硅与硅器件的制造方法相近，但由于碳化硅与硅材料性质不同，一些工艺存在较大差异 （1） 离子注入是最重要的工艺。 硅器件制造中可以采用扩散、离子注入的方法进行掺杂，但碳化硅器件只能采用离子注入掺杂。 因为 碳硅结合力较强 2023年1月15日 碳化硅单晶的切片 作为碳化硅单晶加工过程的道工序，切片的性能决定了后续薄化、抛光的加工水平。切片加工易在晶片表面和亚表面产生裂纹，增加晶片的破片率和制造成本，因此控制晶片表层裂纹损伤，对推动碳化硅器件制造技术的发展具有重要意义。碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 电子工程专辑 EE
第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎
2021年8月16日 碳化硅。文章尾部有干货：相关国内公司及业务进展情况。 碳化硅的优势硅，是制造 半导体芯片及器件最为主要的 切换模式 写文章 登录/注册 第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 老范说股 来 2022年3月7日 和其他功率半导体一样，碳化硅MOSFET产业链包括长晶衬底外延设计制造封装环节。 1、长晶 长晶环节中，和单晶硅使用的提拉法工艺制备不同，碳化硅主要采用物理气相输运法（PVT，也称为改良 碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎
碳化硅：第三代半导体核心材料新华网
2021年11月10日 碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的关键材料，在航天等极端环境应用领域里更有着不可替代的地位。 碳化硅产业链主要包含粉体、单晶材料 2023年4月6日 来源：EETOP 众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和 揭秘碳化硅芯片的设计和制造 知乎
《碳化硅技术基础》书评：SiC工艺的增长、表征、器件和应用
2023年6月28日 书中详细介绍了碳化硅材料在功率器件、微波器件和光电子器件中的应用。重点讲解了碳化硅功率器件的结构和特点，如MOSFET、JFET、Schottky二极管和晶体管。书中还讨论了碳化硅器件制造中的关键技术和挑战，包括工艺和加工技术、掺杂和封装技术等。2023年10月27日 碳化硅器件降本主要通过三大途径：1）降低衬底成本，主要通过8寸向12寸升级、持续优化热场设计来实现；2）在设计、器件制造、封装各个环节改进技术，具体涉及缩小元胞尺寸、改进栅氧淡化工艺等方向；3）设计更小尺寸芯片，使得单位晶圆产出更 碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
碳化硅功率器件发展、优势、分类及应用 知乎
2023年11月16日 1：碳化硅晶片的微管缺陷密度。微管是一种肉眼都可见的宏观缺陷，在碳化硅晶体生长技术发展到能彻底消除微管缺陷之前，大功率电力电子器件就难以用碳化硅来制造。尽管优质晶片的微管密度已达到不超过15cm2的水平。2023年4月1日 SiC MOSFET的设计制造工艺非常复杂，本文对其流程与一些关键考虑因素进行了简要介绍，希望能让大家对SiC MOSFET的设计和制造有一个概念。 编辑于 16:46 ・IP 属地河南 碳化硅 芯片（集成电路） 设计 众所周知，对于碳化硅MOSFET (SiC MOSFET)来说，高质量的 SIC MOSFET碳化硅芯片的设计和制造 知乎
为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？ 知乎
2023年8月19日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳 2021年11月7日 智东西 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势与技术的难点 知乎
2020年1月15日 而且MOSFET原理上不产生尾电流，所以用SiC MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件的小型化。 在碳化硅晶片上制造金属电极，要求接触电阻低于10 5Ωcm2， 2020年11月25日 2020年2月，比亚迪公布了自主研发并制造的高性能碳化硅MOSFET控制模块，并宣布将搭载在新上市的比亚迪汉EV 车型上。该碳化硅模块能够降低内阻，增加电控系统的过流能力，大幅提升电机的功率 让新能源汽车电机更小更轻的碳化硅，在中国发展情况
SiC碳化硅单晶的生长原理 知乎
2023年4月23日 SiC碳化硅单晶的生长原理 叶子落了 碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高 2023年10月30日 SiC碳化硅器件是指以碳化硅为原材料制成的器件，按照电阻性能的不同分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件。导电型碳化硅功率器件主要是通过在导电型衬底上生长碳化硅外延层，得到碳化硅外延片后进一步加工制成，品种包括肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车 碳化硅（SIC）的长处和难点详解； 知乎
详细分析碳化硅(SiC)器件制造工艺中的干法刻蚀技术 今日
2020年12月30日 详细分析碳化硅(SiC)器件制造工艺中的干法刻蚀技术摘要：简述了在SiC材料半导体器件制造工艺中,对SiC材料采用干法刻蚀工艺的必要性总结了近年来SiC干法刻蚀技术的工艺发展状况 半导体器件已广泛应用于各种场合,近年来其应用领域已拓展至许多高温环境中然而目前尚没有关于硅(Si)器件在200 2022年7月13日 日本、美国等国家的材料制造公司积极利用该法将碳化硅纤维进行工业化生产，逐渐形成了3代碳化硅纤维。 先驱体转化法制备碳化硅纤维是目前采用比较广泛的一种方法，技术相对成熟、生产效率高、成本低，适合于工业化生产。【华西军工】军工新材料之碳化硅纤维：航空发动机热端结构
碳化硅芯片的设计和制造 知乎
2023年4月1日 如果从结构上来说，硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑的点大部分都不太一样。 比如SiC大量使用了干蚀刻 (Dry etch)，还有高温离子注入工艺，注入的元素也不一样。 当前国际上的SiC MOSFET绝 2023年7月29日 结晶碳化硅，又称再结晶碳化硅，简称RSiC，是指以高纯超细碳化硅为原料，在2400℃高温条件下发生蒸发、凝聚、再结晶、颗粒共生等反应形成的烧结体。 重结晶碳化硅硬度仅次于金刚石，具有高温强度高、抗氧化性能好、耐腐蚀性能强、抗热震性能好、 重结晶碳化硅（再結晶炭化ケイ素）RSiC 知乎
碳化硅行业深度报告：新材料定义新机遇，SiC引领行业变革
2022年10月9日 碳化硅在射频、功率器件领域应用广泛，市场增长空间广阔。 根据碳化硅行业 全球龙头厂商 Wolfspeed 的预测，受新能源汽车及发电、电源设备、射频器件等 需求驱动，2026 年碳化硅器件市场规模有望达到 89 亿美元，其中用于新能源汽车和工业、能源的 2021年11月29日 碳化硅功率器件行业研究系列文章将分为多期陆续发布，前三期主要介绍了碳化硅功率器件的产业链，分析了上游的细分环节与主要玩家，本篇将深入了解碳化硅产业链中游：功率器件的设计、MOSFET以及器件驱动等细分领域，后续将介绍碳化硅产业链下游的制造封测等环节。碳化硅功率器件之四 知乎
碳化硅是第三代半导体重要的材料科学指南针 知乎
2023年12月4日 2，市场价格：约为硅材料制造的5到6倍。七、碳化硅(SiC)器件发展中的难题在哪里? 综合各种报道，难题不在芯片的原理 设计，特别是芯片结构设计解决好并不难。难在实现芯片结构的制作工艺。举例如下： 1，碳化硅晶片的微管缺陷密度。微管是 2020年6月27日 碳化硅基片材料是碳化硅模具制造流程中成本最高的材料。 此外，碳化硅制造需要开发硅基电力产品和集成电路所不需要的高温制造设备。 设计人员必须确保碳化硅供应商有一个强大的供应链模型，包括在自然灾害或重大产量问题时的多个生产地点，以确保供应始终能够满足需求。功率半导体碳化硅（SiC）技术 知乎
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎
2021年12月16日 2碳化硅单晶的切片作为碳化硅单晶加工过程的道工序，切片的性能决定了后续薄化、抛光的加工水平。切片加工易在晶片表面和亚表面产生裂纹，增加晶片的破片率和制造成本，因此控制晶片表层裂 2023年7月31日 三代半丨激光退火技术助力第三代半导体SiC产业发展 大族激光 已认证账号 碳化硅 (SiC)材料的宽禁带、高热导率、高饱和电子漂移速度、高击穿电场等特性决定了其在高温、大功率领域的巨大潜力。为了使SiC材料的性能能够得到充分发挥, 目前需解决的一 三代半丨激光退火技术助力第三代半导体SiC产业发展 知乎
碳化硅（SIC）晶体生长方法之——物理气相沉积法的详解；
2023年10月30日 物理气相沉积 (Physical Vapour Deposition，PVD)技术指在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 物理气相沉积原理可 失效分析 赵工 半导体工程师 07:22 发表于河南 1、行业简介 什么是第三代半导体？因半导体的材料使用不同，将分为一代，二代、三代。代主要是硅和锗等元素半导体为代表，第二代半导体材料是以砷化镓为代表。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的半导体材料。第三代半导体深度研究 碳化硅 知乎
碳化硅陶瓷防弹片的优势及防弹原理 知乎
2022年10月25日 二、碳化硅陶瓷防弹板的防弹原理 装甲防护的基本原理是消耗子弹能量、使子弹减速并达到无害。 绝大部分传统的工程材料，如金属材料通过结构发生塑性变形来吸收能量，而陶瓷材料则是通过微破碎过程吸收能量。 碳化硅防弹陶瓷的吸能过程大致可分 2022年4月7日 引言 碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度，所有这些都可以在清洁关键表面方面发挥作用。 这项工作将100毫米或150毫米4H碳化硅晶片经过汞探针电容电压(MCV)绘图 碳化硅(SiC)器件制造工艺中的清洗方法 今日头条 电子
碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解
2023年10月27日 碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解； 随着科学技术的飞速发展，半导体材料的革新速度也进一步加快。 继以 Si 为代表的代半导体和以GaAs 为代表的第二代半导体之后，以 SiC 为代表的第三代宽禁带半导体越来越受到人们的关 2023年12月6日 与此相反，碳化硅SBD是不使用少数载流子进行电传导的多数载流子器件（单极性器件），因此原理上不会发生少数载流子积聚的现象。而且，该瞬态电流基本上不随温度和正向电流而变化，所以不管何种环境下，都能够稳定地实现快速恢复。半导体碳化硅(SIC）制造封测的详解； 知乎专栏
揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道芯片碳化硅
2021年7月4日 碳化硅功率器件制造原理 与传统硅基相似，但因为材料性质的改变，所需设备和技术难度有增加。碳化硅产业链大部分难点在衬底生长环节，不过在 2020年12月2日 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 2021年7月5日 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会。 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品是以硅为原材料制成的。 然而受材料本身特性的限制，硅基功率器件已经渐渐难以满足 5G 基站 揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃号湃客
碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
2020年6月10日 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺 碳化硅 (SiC)，又称金刚砂。 1891年美国人艾契逊 (Acheson)发明了碳化硅的工业制造方法。 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高 2021年8月4日 碳化硅芯片这样制造 新材料，“芯”未来！碳化硅芯片，取代传统硅基芯片，可以有效提高工作效率、降低能量损耗，减少碳排放，提高系统可靠性，缩减体积、节约空间。以电动汽车为例，采用碳化硅芯片，将使电驱装置的体积缩小为五分之一，电动汽车行驶损耗降低60%以上，相同电池容量下 碳化硅芯片怎么制造？ 知乎
碳化硅功率器件之一 知乎
2021年8月24日 不同的碳化硅多型体在半导体特性方面表现出各自的特点，利用碳化硅的这一特点可以制作碳化硅不同多型体间晶格完全匹配的异质复合结构和超晶格，从而获得性能极佳的器件。 其中6HSiC结构最为稳定，适用于制造光电子器件；3CSiC比6HSiC活泼，其电子迁移率最高、饱和电子漂移速度最快、击穿 2023年3月13日 概述 碳化硅器件生产过程跟传统的硅基器件基本一致，主要分为衬底制备、外延层生长、晶圆制造以及封装测试四个环节： 衬底：高纯度的碳粉和硅粉 1:1 混合制成碳化硅粉，通过单晶生长成为碳化硅晶锭，然后对其进行切割、打磨、抛光后得到透明的碳化硅衬底，其厚度一般为 350 μm；碳化硅 ~ 制备难点 知乎
半导体碳化硅（SIC）功率器件的制造； 知乎
2023年12月1日 从上图可见，碳化硅与硅器件的制造方法相近，但由于碳化硅与硅材料性质不同，一些工艺存在较大差异 （1） 离子注入是最重要的工艺。 硅器件制造中可以采用扩散、离子注入的方法进行掺杂，但碳化硅器件只能采用离子注入掺杂。 因为 碳硅结合力较强 2023年1月15日 碳化硅单晶的切片 作为碳化硅单晶加工过程的道工序，切片的性能决定了后续薄化、抛光的加工水平。切片加工易在晶片表面和亚表面产生裂纹，增加晶片的破片率和制造成本，因此控制晶片表层裂纹损伤，对推动碳化硅器件制造技术的发展具有重要意义。碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 电子工程专辑 EE