生产碳化硅的设备
2021-09-12T15:09:22+00:00
造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国
2023年5月21日 SiC产业链关键环节 SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节。 SiC单晶衬底 环节通常涉及到高纯碳化硅粉体制备、单晶生长、晶体切割研磨和抛光等工 2020年10月21日 我国是碳化硅较大的应用市场，占据全球近一半的使用量，但是我国的碳化硅产业还很不完善，国内从事碳化硅材料及器件研发制造的多为高校和科研院所，缺乏产业化能力，不过近两年来国内已有少数 首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有
一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉一张图资讯
2022年5月11日 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉 来源：中国粉体网 山川 34249人阅读 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片 [导读] 一 2022年12月15日 长晶炉基本实现国产替代 事实上，碳化硅衬底制备的关键环节在于长晶工艺，由于碳化硅需要在高温（>2,200℃）、真空环境中生长，对温场稳定性的要求高， 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
产品解决方案碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶
6吋碳化硅晶体 碳化硅作为全球先进的第三代半导体材料，具有高热导率、高击穿电场强、高饱和电子漂移速度和高键合能等特性，碳化硅功率器件在耐高压、高频、高温以及大功 2023年2月26日 年碳化硅器件市场 CAGR=34% 3 图 2: 相同里程 行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良率
2022年9月6日 四、碳化硅产业现状 1、中国碳化硅产量分为黑碳化硅和绿碳化硅，2020年中国黑碳化硅产量为75万吨，绿碳化硅产量为105万吨，2021年中国黑碳化硅产量为90万吨，绿碳化硅为11万吨，产量相继上 2017年4月21日 中国碳化硅冶炼的生产工艺、技术装备和单吨能耗都达到世界领先水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。但是与国际相比，中国碳化硅的成产还存在以下问题：（1）生产设备不先进，很多工序 简述碳化硅的生产制备及其应用领域专题资讯中国粉
晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造
2023年7月17日 设备先行、受益大尺寸需求扩张 半导体硅片核心设备包括：长晶、切片、研磨、抛光、外延设备等。 半导体硅片生产 工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛 设备、外 2023年11月29日 项目总投资100亿元，占地面积88亩，主要建设第三代功率半导体（碳化硅）的设备制造、长晶生产 、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。项目分三期建设，一期预计投资 21 亿元，建成达产后，可形成年产 24万片导电型碳化硅衬底片和 盘点国内SiC碳化硅衬底与外延片公司（附碳化硅投资逻辑
碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 2023年11月12日 虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化 2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇产能
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
2019年9月5日 碳化硅功率器件生产过程 衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产品，目前单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的重要原因。2021年1月12日 第六位：楚江新材 较大的铜板带材生产企业 在碳化硅单晶方面主要从事SiC单晶中的高纯C粉的研制，目前已能实现小批量生产，且关键技术指标满足制备第三代半导体——碳化硅单晶的要求，掌握了将5N及以下的C粉提纯到6N及以上，各项关键指标满足高性能碳化硅单晶原料生产的需要，其设备与工艺 A股独占鳌头的9只碳化硅龙头：半导体的核心科技 知乎
【新股报告】半导体材料新股系列：天岳先进碳化硅新浪
2022年1月12日 公司成立于2010年，具备多年研发、量产碳化硅衬底的经验。衬底尺寸越大，单位衬底可生产的芯片越多。在半绝缘型碳化硅市场，目前衬底规格以4 2023年3月26日 在省重大科技成果转化项目“碳化硅衬底产业化关键技术研究”等的支持下，科友半导体解决了大尺寸碳化硅单晶制备易开裂、缺陷密度高、生长速率慢等技术难题，突破了碳化硅衬底产业化系列关键技术，完成了6英寸设备研制、生产线搭建、单晶衬底材料制 打造第三代半导体碳化硅材料全产业链 科友 关键装备和产品
半导体碳化硅（SIC）产业链图谱详解； 知乎
2023年12月5日 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长碳化硅外延片，制成耐高温、耐高压的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空 2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石 碳化硅百度百科
一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉一张图资讯
2022年5月11日 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉 来源：中国粉体网 山川 34249人阅读 标签 长晶炉 碳化硅 晶片 碳化硅微粉 碳化硅晶片 [导读] 一张图了解生产碳化硅晶片的灵魂装备——长晶炉2022年3月22日 掌握了碳化硅晶 片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全 流程关键技术和工艺。2020 年 8 月 17，公司碳化硅 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ 知乎专栏
2021年10月15日 本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ 近些年来，随着汽车和工业的升级，以SiC为代表的第三代化合物开始受到行业的青睐。 根据Yole预测，20182024年，全球SiC功率器件市场规模将由420亿美元增长至1929亿美元，CAGR高达29%，其中电动汽车市场是较大驱动力，预计 2023年8月19日 在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。 一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在152年以上。为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？ 知乎
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 技术碳化硅产业链条核心：外延技术 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且 2019年2月22日 2018年11月13日，天岳碳化硅材料项目开工活动在长沙浏阳高新区举行，该项目的落实标志着国内较大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建。 据悉，天岳碳化硅材料项目由山东天岳晶体材料有限公司开发建设，总投资30亿元，项目分 国内第三代半导体厂商（碳化硅） 知乎
碳化硅龙头忙扩产，市场将迎来高峰？腾讯新闻
2023年8月5日 由于生产商数量有限，而基于碳化硅的设计需求巨大，原始设备制造商和汽车供应商越来越希望锁定可靠的长期供应。 在当前全球碳化硅功率市场高景气行情下，碳化硅处在爆发式增长的前期，扩产放量是行业关注重点。2022年3月7日 来源：《拆解PVT生长碳化硅的技术点》 工艺的不同导致碳化硅长晶环节相比硅基而言主要有两大劣势。生产难度大，良率较低。碳化硅气相生长的温度在2300℃以上，压力350MPa，全程暗箱进行，易混入杂质，良率低于硅基，直径越大，良率越低。碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎
我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
2021年12月24日 高压SiC模块的驱动是应用中的一个难题，也许是因为三菱电机是 功率半导体 大厂，并没有自己开发驱动，而是有很多厂商专门为其开发驱动。 其推荐的几款驱动器经过测试得到了认可，包括日本品 2022年3月2日 SiC 碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅 元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁 带宽度是硅的 3 倍；导热率为硅的 45 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产
小议碳化硅的国产化 知乎
2020年10月19日 设备方面：碳化硅生产的 高端设备，基本掌握在欧美手中。国内核心设备正在加紧国产化。但检测设备与国内其他行业的同类产品一样，是非常大的短板。笔者认为，第三代半导体的国产化比第二代半导 2020年6月16日 半导体制造之设备篇 半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造设备远远不止这些，本文将一一比较国产化 半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比 知乎
提高标准行驶里程：博世开启碳化硅芯片大规模量产计划
2 天之前 博世集团董事会成员Harald Kroeger：“博世希望成为全球领先的电动出行碳化硅（SiC）芯片生产供应商。” 碳化硅半导体能够显著提高电动汽车的行驶里程和充电速度。预计于2021年12月启动大规模量产。自2021年初起，博世便开始生产用于客户验证的碳化硅2021年12月5日 本文首发自公众号：价值盐选 今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试。 我们先来分析其中一种材料，叫做碳化硅 SiC。 01 SiC 基本情况及产业链 这个碳化硅是第三代半导体材料，第 碳化硅产业链最全分析 知乎
第三代半导体SiC产业链及市场应用研究碳化硅材料高温
2023年1月4日 制作碳化硅器件的大部分设备与传统硅的生产设备相同，但由于碳化硅材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺。 SiC所需的特定设备包括高温退火炉、高温离子注入机、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC沉底和外延片表面缺陷检测和计量设备等。2021年6月30日 在碳化硅单晶方面主要从事SiC单晶中的高纯C粉的研制，目前已能实现小批量生产，且关键技术指标满足制备第三代半导体——碳化硅单晶的要求，掌握了将5N及以下的C粉提纯到6N及以上，各项关键指标满足高性能碳化硅单晶原料生产的需要，其设备与工艺A股独占鳌头的9只碳化硅龙头：半导体的核心科技三安光电
在南京干出“ 全国唯一”！这只“培育独角兽”，再斩C轮超芯
2023年12月18日 2019年10月，超芯星推出了大尺寸（68英寸）碳化硅单晶衬底材料；2020年，超芯星创新自研的全国首台套高速率碳化硅单晶生长设备诞生。2022年7月，超芯星生产的“6英寸碳化硅衬底”打破国际垄断，顺利进入美国一流器件厂商。2022年12月15日 在外延设备方面，晶盛机电表示，公司生产的SiC碳化硅外延设备 为公司独立研发设计和生产制造，核心技术均拥有独立的知识产权，目前已实现批量销售。 季华实验室也在4月表示，由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的6英寸SiC高温外延 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”半导体晶炉
【行业观察】国产替代加速，我国第三代半导体碳化硅
2023年5月17日 03 碳化硅的国内外技术差距及发展机会 一是碳化硅衬底，生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。影响 2023年6月30日 相较于此前生产的6英寸外延设备，此次发布的8英寸碳化硅外延设备生产出的外延片边缘损耗更小、可利用面积更大，未来通过产量和规模效益的提升，成本有望降低60%以上。 “外延设备迈进‘8英寸时代’一直是产业聚焦的热点之一。”中国电科48所党委书记王中国电科48所率先发布国产8英寸碳化硅外延设备 湖南省工业
碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代产业链碳化硅器件新浪新闻
2023年6月28日 碳化硅全产业链 作为第三代半导体材料，碳化硅相较于硅材料，具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造高温、高压、高频、大功率的器件。 当前从光伏到新能源汽车，碳化硅下游市场需求旺盛，特别是随 2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。 今年发布的“‘十四五’规划和 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金
第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎
2021年8月16日 除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10 倍，而且效率不随着频率的 2022年8月25日 这是一个需要用设备部署的大量洁净室空间。一些用于硅生产线的设备也可用于碳化硅生产 线。但大批量的生产需要一些专门的工具。 IDM和代工厂需要什么？ 随着特斯拉的发展，意法半导体很快就实现了高销量。意法半导体汽车产品集团功率 SiC发展神速设备XFab碳化硅
华为持股7%！国产碳化硅龙头上市，市值超370亿元 知乎
2022年1月12日 天岳先进主营业务为宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料，主要产品为碳化硅（SiC）衬底。碳化硅材料能够突破传统硅半导体的物理极限，开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的半导体器件，具备用于5G基站、特高压、新能源、大数据中心等 2023年9月12日 这两种碳化硅晶圆生产方法都需要大量的能源、设备和知识才能成功。碳化硅 有什么用途？碳化硅的优点 从历史上看，制造商在高温环境下使用碳化硅来制造轴承、加热机械部件、汽车制动器，甚至磨刀工具等设备。在电子和半导体应用中，SiC 什么是碳化硅（SiC）陶瓷？用途及其制作方法？ 知乎
【行业趋势】2023年碳化硅行业发展政策、产业链全景
2023年8月17日 内容概述： 随着中国制造业的不断发展，碳化硅在冶金、化工、半导体制造等工业领域中的应用也在增加。 根据数据显示，中国碳化硅行业市场规模呈现快速上涨态势，2022年中国碳化硅市场规模约为4345亿元，产值约为2043亿元。 中国碳化硅行业主要分 2021年7月21日 碳化硅晶体的生长过程就如同“蒙眼绣花”一样，因为温度太高，难以进行人工干预，所以晶体的生长过程十分容易遭到扰动，而如何在苛刻的生长条件下稳定生长环境，恰恰是晶体生长最核心的技术。要想生产出高质量的碳化硅晶片，就必须攻克这些技术难关。碳化硅，第三代半导体时代的中国机会
碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良率
2022年9月6日 四、碳化硅产业现状 1、中国碳化硅产量分为黑碳化硅和绿碳化硅，2020年中国黑碳化硅产量为75万吨，绿碳化硅产量为105万吨，2021年中国黑碳化硅产量为90万吨，绿碳化硅为11万吨，产量相继上 2017年4月21日 中国碳化硅冶炼的生产工艺、技术装备和单吨能耗都达到世界领先水平。黑、绿碳化硅原块的质量水平也属世界级。但是与国际相比，中国碳化硅的成产还存在以下问题：（1）生产设备不先进，很多工序 简述碳化硅的生产制备及其应用领域专题资讯中国粉
晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造
2023年7月17日 设备先行、受益大尺寸需求扩张 半导体硅片核心设备包括：长晶、切片、研磨、抛光、外延设备等。 半导体硅片生产 工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛 设备、外 2023年11月29日 项目总投资100亿元，占地面积88亩，主要建设第三代功率半导体（碳化硅）的设备制造、长晶生产 、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。项目分三期建设，一期预计投资 21 亿元，建成达产后，可形成年产 24万片导电型碳化硅衬底片和 盘点国内SiC碳化硅衬底与外延片公司（附碳化硅投资逻辑
碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 2023年11月12日 虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化 2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇产能
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
2019年9月5日 碳化硅功率器件生产过程 衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产品，目前单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的重要原因。2021年1月12日 第六位：楚江新材 较大的铜板带材生产企业 在碳化硅单晶方面主要从事SiC单晶中的高纯C粉的研制，目前已能实现小批量生产，且关键技术指标满足制备第三代半导体——碳化硅单晶的要求，掌握了将5N及以下的C粉提纯到6N及以上，各项关键指标满足高性能碳化硅单晶原料生产的需要，其设备与工艺 A股独占鳌头的9只碳化硅龙头：半导体的核心科技 知乎
【新股报告】半导体材料新股系列：天岳先进碳化硅新浪
2022年1月12日 公司成立于2010年，具备多年研发、量产碳化硅衬底的经验。衬底尺寸越大，单位衬底可生产的芯片越多。在半绝缘型碳化硅市场，目前衬底规格以4 2023年3月26日 在省重大科技成果转化项目“碳化硅衬底产业化关键技术研究”等的支持下，科友半导体解决了大尺寸碳化硅单晶制备易开裂、缺陷密度高、生长速率慢等技术难题，突破了碳化硅衬底产业化系列关键技术，完成了6英寸设备研制、生产线搭建、单晶衬底材料制 打造第三代半导体碳化硅材料全产业链 科友 关键装备和产品